制造商型号: | SEBT3906U |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管IGBT |
商品描述: | 集电极电流Ic:200mA 额定功率:250mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SEBT3906U
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SEBT3906U 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SEBT3906U
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
集电极电流Ic:200mA 额定功率:250mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V
额定功率
250mW
集电极电流Ic
200mA
集射极击穿电压Vce
40V
晶体管类型
PNP
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 0.133041 | 2.66 |
200 | 0.106784 | 21.36 |
600 | 0.092196 | 55.32 |
2000 | 0.083444 | 166.89 |
10000 | 0.075858 | 758.58 |