连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 7.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：56A 漏源电压（Vdss）：45V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170mW(Tj) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.7V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：27.5mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：41mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2mW 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：80mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：176W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频