制造商型号： | SED2145 |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：18.9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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SINO-IC(光宇睿芯) SED2145
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SED2145 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SED2145
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：18.9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
18.9mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 12420
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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SED2145品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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