制造商型号: | SE3401B |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE3401B
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SE3401B 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE3401B
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
2.8A
栅源极阈值电压
1.1V @ 250uA
漏源导通电阻
120mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 0.218154 | 4.36 |
200 | 0.177971 | 35.59 |
600 | 0.155645 | 93.39 |
3000 | 0.120818 | 362.45 |
9000 | 0.109211 | 982.90 |
品牌其他型号
SE3401B品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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