制造商型号： | SE2N7002K(ESD) |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE2N7002K(ESD)
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SE2N7002K(ESD) 规格参数
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参数值
制造商型号
SE2N7002K(ESD)
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
300mA
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
350mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.34693 | 3.47 |
| 100 | 0.283276 | 28.33 |
| 300 | 0.251449 | 75.43 |
| 1000 | 0.227579 | 227.58 |
| 5000 | 0.208482 | 1042.41 |
品牌其他型号
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SE2N7002K(ESD)品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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