制造商型号: | SE100150GA |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE100150GA
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SE100150GA 规格参数
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参数值
制造商型号
SE100150GA
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
150A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
4mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
300W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.812998 | 7.81 |
10 | 6.534507 | 65.35 |
30 | 5.824235 | 174.73 |
100 | 5.037471 | 503.75 |
500 | 4.676872 | 2338.44 |
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SE100150GA品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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