制造商型号: | SE10060A |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):170W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE10060A
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SE10060A 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE10060A
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):170W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
60A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
17mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
170W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.573217 | 3.57 |
10 | 2.939436 | 29.39 |
50 | 2.622545 | 131.13 |
100 | 2.316581 | 231.66 |
500 | 2.130818 | 1065.41 |
品牌其他型号
SE10060A品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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