制造商型号： | SE1216 |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE1216
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SE1216 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE1216
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
21A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
18mΩ @ 6.7A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.870809 | 4.35 |
| 50 | 0.71804 | 35.90 |
| 150 | 0.641655 | 96.25 |
| 500 | 0.514242 | 257.12 |
| 2500 | 0.47391 | 1184.78 |
品牌其他型号
SE1216品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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