制造商型号： | SE2301 |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE2301
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SE2301 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE2301
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.8A
栅源极阈值电压
450mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻
100mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
900mW
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 23691
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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SE2301品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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