制造商型号： | SE100250GTS |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE100250GTS
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SE100250GTS 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE100250GTS
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
250A
栅源极阈值电压
5V @ 250uA
漏源导通电阻
3mΩ @ 125A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
400mW
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.899178 | 15.90 |
| 10 | 13.833924 | 138.34 |
| 30 | 12.457088 | 373.71 |
| 90 | 11.134888 | 1002.14 |
| 510 | 10.544816 | 5377.86 |
品牌其他型号
SE100250GTS品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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