制造商型号: | SIA433EDJ-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIA433EDJ-T1-GE3
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SIA433EDJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA433EDJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 us
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 0.6 us
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 10 us
典型接通延迟时间 0.3 us
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA433EDJ-GE3
单位重量 41 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥9.143456 总价:¥9.14 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.143456 | 9.14 |
10 | 8.068482 | 80.68 |
100 | 6.189131 | 618.91 |
500 | 4.892984 | 2446.49 |
1000 | 3.914387 | 3914.39 |
品牌其他型号
SIA433EDJ-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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