制造商型号： | UMW2N7002B |
制造商： | MW (台湾明纬) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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MW(台湾明纬) UMW2N7002B
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UMW2N7002B 规格参数
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制造商型号
UMW2N7002B
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
115mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
225mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 6030
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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UMW2N7002B品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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