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关于MW台湾明纬

明纬（广州）电子有限公司(旗下网站"MEAN WELL") 成立于公元1982年，是全球少数以标准品电源供应器为主业的专业制造商。根据Micro Technology Consultant于2017年3月报告，在全球电源供应器(DC输出)制造商排名中，明纬名列第5，前4名电源厂大多以ODM/OEM为主要营收来源，而明纬99%营收来自标准电源，是以自有品牌-MEAN WELL为主要经营策略的电源厂商。

英文全称：MW

中文全称：台湾明纬

英文简称：MW

品牌介绍： 台湾明纬MW

产品分类
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SC3265_晶体管IGBT
2SC3265
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.085427

+10：

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+100：

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+500：

￥0.055889

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
2SC2712_晶体管IGBT
2SC2712
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
+1：

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￥0.04171

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￥0.040281

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
2SC1623_晶体管IGBT
2SC1623
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.054263

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
S9018_晶体管IGBT
S9018
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.047647

库存： 有货

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BC856B_晶体管IGBT
BC856B
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.047386

库存： 有货

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 暂无参数
SS8050_晶体管IGBT
SS8050
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.137555

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￥0.091802

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￥0.08907

库存： 有货

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S8550_晶体管IGBT
S8550
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
+1：

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￥0.039782

库存： 有货

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S9012_晶体管IGBT
S9012
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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库存： 有货

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BC847C_晶体管IGBT
BC847C
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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库存： 有货

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S9013_晶体管IGBT
S9013
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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库存： 有货

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SS8550_晶体管IGBT
SS8550
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.128171

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库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
BC807-40_晶体管IGBT
BC807-40
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.06111

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
2SA1015_晶体管IGBT
2SA1015
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.047357

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￥0.045887

库存： 有货

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 暂无参数
SW075R06ET_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW075R06ET
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.4926

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￥1.8849

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￥1.7716

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￥1.6583

+500：

￥1.6068

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW055R03VT_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW055R03VT
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：7.1mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.004353

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￥0.718013

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￥0.673517

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￥0.653741

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW7N70_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW7N70
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21.5W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.8428

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￥2.1527

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￥2.0291

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￥1.8952

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￥1.8437

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW630D_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW630D
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96.2W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.509156

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￥1.102409

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￥1.027734

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￥0.953059

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￥0.919893

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW4N65_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW4N65
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：167W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.624001

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￥1.232807

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￥1.160913

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+500：

￥1.057089

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW6N80_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW6N80
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113.6W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.163

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￥1.5862

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￥1.4729

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￥1.3699

+500：

￥1.3184

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW18N50_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW18N50
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥4.944

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￥3.605

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￥3.3578

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￥3.1106

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￥3.0076

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SI2310A_晶体管-FET，MOSFET-射频
SI2310A
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥0.489338

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￥0.360487

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￥0.33682

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￥0.313154

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￥0.302635

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SI2309A_晶体管-FET，MOSFET-射频
SI2309A
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
+1：

￥0.433752

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￥0.29222

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￥0.283771

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW7N80_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW7N80
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥3.5844

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￥2.7089

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￥2.5441

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￥2.3896

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￥2.3175

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
AO3422A_晶体管-FET，MOSFET-射频
AO3422A
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.432659

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￥0.329412

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￥0.310447

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￥0.283055

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW47N65K2_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW47N65K2
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：47A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：72mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：338W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥21.4034

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￥18.643

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￥18.128

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￥17.6233

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￥17.3967

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
STN4438_晶体管-FET，MOSFET-射频
STN4438
MW(台湾明纬)
授权代理品牌
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￥0.780637

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￥0.57474

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￥0.536836

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￥0.482246

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW7N65_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW7N65
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：173.6W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.901792

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￥1.443648

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￥1.275346

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￥1.237957

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW035R08ET_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW035R08ET
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：196W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥6.5405

+10：

￥4.7586

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￥4.4393

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￥4.1097

+500：

￥3.9655

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW10N70_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW10N70
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.9149

+10：

￥2.2042

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￥2.0703

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￥1.9364

+500：

￥1.8849

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW8N70D_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW8N70D
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.884

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￥2.1836

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￥2.0497

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￥1.9261

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￥1.8643

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW12N65_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW12N65
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44.6W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.3681

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￥2.5544

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￥2.3999

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￥2.2454

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￥2.1836

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW18N65_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW18N65
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：440mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥7.0349

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￥5.3148

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￥4.9955

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￥4.6762

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￥4.5423

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW16N65K_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW16N65K
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.2W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥8.0546

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￥5.8607

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￥5.459

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￥5.0573

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￥4.8822

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW4N70D_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW4N70D
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：22.7W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.743687

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￥1.13506

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SW8N65_晶体管-FET，MOSFET-射频
SW8N65
MW(台湾明纬)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156.3W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.9982

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￥1.4626

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￥1.3596

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￥1.2566

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￥1.2154

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数

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