制造商型号： | SW035R08ET |
制造商： | MW (台湾明纬) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：196W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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MW(台湾明纬) SW035R08ET
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制造商型号
SW035R08ET
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：196W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
4.1mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
196W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 20
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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SW035R08ET品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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