 | | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 |
 | | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-PowerPair® (6x5) |
 | | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
 | | MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-563, SOT-666 供应商器件封装: SC-89-6 |
 | | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen III 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual |
 | | MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
 | | MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
 | | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-PowerPair® |
 | | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6 (SOT-363) |
 | | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerPair™ 供应商器件封装: 8-PowerPair™ |
 | | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-PowerPair® (6x5) |
 | | MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-PowerPair™ 供应商器件封装: 6-PowerPair™ |
 | | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8SCD 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8SCD |
 | | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8SCD 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8SCD |
 | | MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO- 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
 | | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
 | | MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-Power33 (3x3) |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-PowerPair™ 供应商器件封装: 6-PowerPair™ |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装: 1206-8 ChipFET™ |
 | | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: 6-TSOP |
 | | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-PowerPair® |