制造商型号: | SI1036X-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI1036X-T1-GE3
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SI1036X-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1036X-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 610 mA
漏源电阻 540 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 2 nC
耗散功率 220 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 0.6 mm
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 32 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥4.958884 总价:¥4.96 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.958884 | 4.96 |
10 | 4.000918 | 40.01 |
100 | 2.721751 | 272.18 |
500 | 2.041032 | 1020.52 |
1000 | 1.53083 | 1530.83 |