制造商型号: | SQJB40EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJB40EP-T1_GE3
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SQJB40EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJB40EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 6.3 mOhms, 6.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQJB40EP-T1_BE3
单位重量 506.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥15.857576 总价:¥15.86 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.857576 | 15.86 |
10 | 14.175713 | 141.76 |
100 | 11.055854 | 1105.59 |
500 | 9.133484 | 4566.74 |
1000 | 7.210633 | 7210.63 |
品牌其他型号
SQJB40EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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