制造商型号： | SIZ998DT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZ998DT-T1-GE3
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SIZ998DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ998DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 4.7 mOhms, 2.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 18 nC, 44.3 nC
耗散功率 20.2 W, 32.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 80 S, 165 S
上升时间 65 ns, 65 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 25 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
库存： 7473
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.951417 | 22.95 |
| 10 | 20.45793 | 204.58 |
| 25 | 19.415199 | 485.38 |
| 100 | 15.949817 | 1594.98 |
| 500 | 13.17638 | 6588.19 |
| 1000 | 10.402517 | 10402.52 |
