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SILICONIX(威世) SQJ504EP-T1_GE3

SILICONIX(威世) SQJ504EP-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQJ504EP-T1_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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SQJ504EP-T1_GE3 中文资料

SQJ504EP-T1_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 30 A

漏源电阻 7.5 mOhms, 17 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V, 2.5 V

栅极电荷 30 nC, 85 nC

耗散功率 34 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5 ns, 7 ns

正向跨导(Min) 35 S, 30 S

上升时间 4 ns, 6 ns

典型关闭延迟时间 21 ns, 45 ns

典型接通延迟时间 11 ns, 15 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

3000 个

整装:

¥10
单价:¥7.779682 总价:¥23339.05

价格(含增值税)

数量 单价 总价
3000 7.779682 23339.05
6000 7.072438 42434.63
15000 6.746017 101190.26
品牌其他型号
SQJ504EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SQJ504EP-T1_GE3、查询SQJ504EP-T1_GE3代理商; SQJ504EP-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQJ504EP-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQJ504EP-T1_GE3替代型号SQJ504EP-T1_GE3数据手册PDF