制造商型号： | SQ1922AEEH-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SQ1922AEEH-T1_GE3
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SQ1922AEEH-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ1922AEEH-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
上升时间 9.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SQ1922AEEH-T1_GE3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.865223 | 2595.67 |
| 6000 | 0.821229 | 4927.37 |
| 9000 | 0.76257 | 6863.13 |
| 30000 | 0.745007 | 22350.21 |
| 75000 | 0.725994 | 54449.55 |
