制造商型号: | SIZ342ADT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZ342ADT-T1-GE3
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SIZ342ADT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ342ADT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 33.4 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 12.2 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 Dual N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥3.826909 总价:¥11480.73 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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3000 | 3.826909 | 11480.73 |