制造商型号： | EMB20N03V |
制造商： | EMC (杰力) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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EMC(杰力) EMB20N03V
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EMB20N03V 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMB20N03V
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
21W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.634739 | 3.17 |
| 50 | 0.507431 | 25.37 |
| 150 | 0.443777 | 66.57 |
| 500 | 0.396036 | 198.02 |
| 2500 | 0.357844 | 894.61 |
品牌其他型号
EMB20N03V品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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