类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 2.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：9.6nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：650pF @ 16V
功率 - 最大：960mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：Micro6™(TSOP-6)
包装：管件
供应商设备封装：Micro6™(TSOP-6)
IRF5810
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF5802TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP | 立即购买 |
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| IRF5801TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP | 立即购买 |
| IRF5801TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP | 立即购买 |