制造商型号: | IRF5802TRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IRF5802TRPBF
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IRF5802TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF5802TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 900 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 4.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.2 ns
正向跨导(Min) 0.55 S
上升时间 1.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5802TRPBF SP001561828
单位重量 20 mg
库存: 8143
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.980961 | 7.98 |
10 | 6.833699 | 68.34 |
100 | 4.754908 | 475.49 |
500 | 3.712394 | 1856.20 |
1000 | 3.017552 | 3017.55 |
品牌其他型号
IRF5802TRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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