类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 8.8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1590pF @ 6V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SO
IRF7475TRPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7404TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF7404TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF7404TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF7493TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF7493TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC | 立即购买 |