类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：520 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：86nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4685pF @ 25V
功率 - 最大：500W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFT20N80P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT24N80P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 | 立即购买 |
| IXFT220N20X3HV | IXYS (艾赛斯.力特) | 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | 立即购买 |
| IXFT24N90P-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | IXFT24N90P TRL | 立即购买 |
| IXFT26N50 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | 立即购买 |
| IXFT24N50Q | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 | 立即购买 |