晶体管极性:N
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):9ohm
封装类型:D-PAK
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:5.2nC
功率, Pd:50W
封装类型:DPAK
晶??管类型:Standard
热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:140pF
电流, Id 连续:1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
时间, trr 最大:500ns
IXTY1R4N60P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTY18P10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | 立即购买 |
| IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | 立即购买 |
| IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | 立即购买 |
| IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | 立即购买 |
| IXTY1R6N50D2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | 立即购买 |