制造商型号: | IXTY1R6N50D2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY1R6N50D2
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IXTY1R6N50D2 中文资料
数据手册PDF
IXTY1R6N50D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 23.7 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.22 mm
宽度 6.73 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 25.527216 | 25.53 |
70 | 20.222964 | 1415.61 |
140 | 17.333917 | 2426.75 |
560 | 15.407767 | 8628.35 |
1050 | 13.192811 | 13852.45 |
品牌其他型号
IXTY1R6N50D2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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