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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY1R6N50D2

IXYS(艾赛斯.力特) IXTY1R6N50D2
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTY1R6N50D2

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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IXTY1R6N50D2 中文资料

数据手册PDF

IXTY1R6N50D2 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 500 V

漏极电流 1.6 A

漏源电阻 2.3 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4.5 V

栅极电荷 23.7 nC

耗散功率 100 W

通道模式 Depletion

配置 Single

下降时间 41 ns

正向跨导(Min) 1 S

上升时间 70 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 25 ns

外形参数

高度 2.38 mm

长度 6.22 mm

宽度 6.73 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Depletion Mode MOSFET

单位重量 330 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥25.527216 总价:¥25.53

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 25.527216 25.53
70 20.222964 1415.61
140 17.333917 2426.75
560 15.407767 8628.35
1050 13.192811 13852.45
品牌其他型号
IXTY1R6N50D2品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTY1R6N50D2、查询IXTY1R6N50D2代理商; IXTY1R6N50D2价格批发咨询客服;这里拥有 IXTY1R6N50D2中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTY1R6N50D2替代型号IXTY1R6N50D2数据手册PDF