制造商型号： | IXTY18P10T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY18P10T
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IXTY18P10T 中文资料
数据手册PDF
IXTY18P10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 15 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 13 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.042002 | 17.04 |
| 10 | 15.319926 | 153.20 |
| 25 | 14.451141 | 361.28 |
| 100 | 11.27096 | 1127.10 |
| 250 | 10.981961 | 2745.49 |
品牌其他型号
IXTY18P10T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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