二极管和三极管介绍-二极管和三极管的区别及工作原理详解-KIA MOS管
二极管和三极管的区别 什么是二极管 二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式...
发布时间：2022-09-13
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分立器件成品参数
SVF28N50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构，使得该产品具有较低的导通电阻，优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该...
发布时间：2022-09-10
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【搬运】 Cadence orcad常用库olb介绍
共182个零件，存放模拟放大器IC，如CA3280，TL027C，EL4093等。 ARITHMETIC.OLB 共182个零件，存放逻辑运算IC，如TC4032B，74LS85等。 3.ATOD.OLB 共618个零件，存放A/D转换IC，如ADC0804，TC7109等。 BUS ...
发布时间：2022-09-09
【转】浅谈半导体工艺变革
MOSFET基础 在纯净的硅中，所有的价电子都参与了成键（下图(a)），里面没有自由电子，或者极少的自由电子，所以是电的不良导体。但可以通过在硅晶格中引入被称为掺杂剂(dopant)的少量杂质来提高它的导电性。...
发布时间：2022-08-20
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【设计】】MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
参考：MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管 P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）...
发布时间：2022-08-17
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版图基本知识
版图层次定义 层 英文（缩写） 版图层 有源区 Active （diff / thin oxide） TO N阱 Nwell TB 场注入 ...纵向NPN基区注入 P-base BA 多晶硅 Poly1 GT N型源/漏 N+ SN P型源/漏 P+ SP
发布时间：2022-08-17