FDC642P

P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.054Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating ±12V. • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM-6 package: small footprint 72% smaller than standard SO-8; low profile 1mm thick. 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）