制造商型号: | SQJB80EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQJB80EP-T1_GE3
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SQJB80EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJB80EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 15.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJB80EP-T1_GE3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥15.612269 总价:¥15.61 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.612269 | 15.61 |
10 | 13.931864 | 139.32 |
100 | 10.865425 | 1086.54 |
500 | 8.975507 | 4487.75 |
1000 | 7.085825 | 7085.82 |
品牌其他型号
SQJB80EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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