SQJB80EP-T1_GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
电子元器件分类
SQJB80EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0155 Ω
耗散功率 48 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1015pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48000 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
封装 PowerPAKSO-8L-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQJB80EP-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJB80EP-T1_GE3 | VISHAY 威世 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 80 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |