制造商型号： | CSD87503Q3E |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD87503Q3E
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CSD87503Q3E 中文资料
数据手册PDF
CSD87503Q3E 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 42.8 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 24 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 29.200 mg
库存： 790
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.88715 | 19.89 |
| 10 | 17.768221 | 177.68 |
| 25 | 16.866197 | 421.65 |
| 100 | 13.852346 | 1385.23 |
| 250 | 12.949376 | 3237.34 |
| 500 | 11.443636 | 5721.82 |
| 1000 | 9.034448 | 9034.45 |
品牌其他型号
CSD87503Q3E品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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