制造商型号: | SI5515CDC-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI5515CDC-T1-E3
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SI5515CDC-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI5515CDC-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 36 mOhms, 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 11.3 nC, 11 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 6 ns
正向跨导(Min) 22.4 S, 9.5 S
上升时间 9 ns, 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5515CDC-E3
单位重量 85 mg
库存: 2799
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.761258 | 9.76 |
10 | 8.562725 | 85.63 |
25 | 8.046242 | 201.16 |
100 | 5.838221 | 583.82 |
250 | 5.630887 | 1407.72 |
500 | 4.878158 | 2439.08 |
1000 | 4.151624 | 4151.62 |
品牌其他型号
SI5515CDC-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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