制造商型号: | SQS411ENW-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SQS411ENW-T1_GE3
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SQS411ENW-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQS411ENW-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 27.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 53.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 39.6 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SQS411ENW-T1_GE3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥11.259707 总价:¥11.26 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.259707 | 11.26 |
10 | 9.725418 | 97.25 |
100 | 6.737264 | 673.73 |
500 | 5.62936 | 2814.68 |
1000 | 4.790821 | 4790.82 |
品牌其他型号
SQS411ENW-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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