制造商型号： | SH8K26GZ0TB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) SH8K26GZ0TB
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SH8K26GZ0TB 中文资料
数据手册PDF
SH8K26GZ0TB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K26
单位重量 83 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥9.514136 总价：￥9.51 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.514136 | 9.51 |
| 10 | 8.340314 | 83.40 |
| 100 | 6.395477 | 639.55 |
| 500 | 5.056084 | 2528.04 |
| 1000 | 4.044866 | 4044.87 |
品牌其他型号
SH8K26GZ0TB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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