制造商型号： | DMC3061SVT-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMC3061SVT-7
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DMC3061SVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMC3061SVT-7 规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMC3061SVT-7
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N and P-Channel Complementary
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6.6nC, 6.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
278pF, 287pF @ 15V
功率 - 最大值
880mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.060346 | 3181.04 |
