制造商型号： | FDS6930B |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDS6930B
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FDS6930B 中文资料
数据手册PDF
FDS6930B 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 19 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDS6930B_NL
单位重量 187 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.134656 总价：￥8.13 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.134656 | 8.13 |
| 10 | 7.12693 | 71.27 |
| 100 | 5.467218 | 546.72 |
| 500 | 4.321567 | 2160.78 |
| 1000 | 3.457351 | 3457.35 |
品牌其他型号
FDS6930B品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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