制造商型号： | RGT8NS65DGTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多RGT8NS65DGTL价格库存等采购信息！ |
ROHM(罗姆) RGT8NS65DGTL
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
RGT8NS65DGTL 中文资料
数据手册PDF
RGT8NS65DGTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 8 A
耗散功率 65 W
集电极连续电流 4 A
集电极连续电流（Max） 8 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT8NS65D(LPDS)
单位重量 2 g
库存： 922
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
RGT8NS65DGTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
，可在锐单商城现货采购RGT8NS65DGTL、查询RGT8NS65DGTL代理商； RGT8NS65DGTL价格批发咨询客服；这里拥有
RGT8NS65DGTL中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
RGT8NS65DGTL替代型号
、
RGT8NS65DGTL数据手册PDF。