RGT8NS65DGTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

ROHM RGT8NS65DGTL 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS TO-263S

得捷:
IGBT 650V 8A 65W TO-263S

贸泽:
IGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench

e络盟:
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚

Newark:
# ROHM RGT8NS65DGTL IGBT, SINGLE, 650V, 8A, TO-263S-3

儒卓力:
**IGBT 650V 4A 1,65V LPDS **

RGT8NS65DGTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 65 W

针脚数 3

耗散功率 65 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 65 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RGT8NS65DGTL引脚图与封装图

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