制造商型号: | SIA921EDJ-T4-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIA921EDJ-T4-GE3
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SIA921EDJ-T4-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA921EDJ-T4-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 23 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.442 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥2.900513 总价:¥8701.54 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 2.900513 | 8701.54 |
6000 | 2.747874 | 16487.24 |
9000 | 2.544232 | 22898.09 |
30000 | 2.519102 | 75573.06 |
品牌其他型号
SIA921EDJ-T4-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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