SIA921EDJ-T4-GE3

Vishay Siliconix 主动器件

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

贸泽:
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA921EDJ-T4-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 7.8 W

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 20 ns

额定功率Max 7.8 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIA921EDJ-T4-GE3引脚图与封装图

暂无图片

在线购买SIA921EDJ-T4-GE3

型号	制造商	描述	购买
SIA921EDJ-T4-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6	搜索库存