制造商型号: | QS6J3TR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) QS6J3TR
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QS6J3TR 中文资料
数据手册PDF
QS6J3TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 215 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS6J3
单位重量 14 mg