制造商型号: | DMC3025LSDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFETN/P-CH30VSO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMC3025LSDQ-13
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DMC3025LSDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3025LSDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A, 5.5 A
漏源电阻 20 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2 V
栅极电荷 9.8 nC, 10.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.8 ns, 12.4 ns
正向跨导(Min) 8 S, 5 S
上升时间 4.2 ns, 4.9 ns
典型关闭延迟时间 16.6 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 6.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 10111
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.35507 | 8.36 |
10 | 7.257688 | 72.58 |
100 | 5.024266 | 502.43 |
500 | 4.198236 | 2099.12 |
1000 | 3.572977 | 3572.98 |