制造商型号: | DMC3025LSDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFETN/P-CH30VSO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多DMC3025LSDQ-13价格库存等采购信息! |
DIODES(美台) DMC3025LSDQ-13
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
DMC3025LSDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3025LSDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A, 5.5 A
漏源电阻 20 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2 V
栅极电荷 9.8 nC, 10.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.8 ns, 12.4 ns
正向跨导(Min) 8 S, 5 S
上升时间 4.2 ns, 4.9 ns
典型关闭延迟时间 16.6 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 6.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 1.841531 | 4603.83 |
5000 | 1.744612 | 8723.06 |
12500 | 1.615364 | 20192.05 |
25000 | 1.599342 | 39983.55 |