制造商型号： | SSM6N55NU,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM6N55NU,LF
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SSM6N55NU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6N55NU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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品牌其他型号
SSM6N55NU,LF品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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