制造商型号: | SI2300DS-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SI2300DS-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SI2300DS-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI2300DS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2300DS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-GE3
单位重量 8 mg
SI2300DS-T1-GE3 同类别型号
库存: 28106
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.190873 | 6.19 |
10 | 5.262243 | 52.62 |
100 | 3.657259 | 365.73 |
500 | 2.85585 | 1427.93 |
1000 | 2.321269 | 2321.27 |
品牌其他型号
SI2300DS-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购SI2300DS-T1-GE3、查询SI2300DS-T1-GE3代理商; SI2300DS-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有
SI2300DS-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SI2300DS-T1-GE3替代型号
、
SI2300DS-T1-GE3数据手册PDF。