SSM6N55NU,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
SSM6N55NU,LF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 64 mΩ
耗散功率 1 W
阈值电压 1.3V ~ 2.5V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
输入电容Ciss 280pF @15VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UDFN-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 UDFN-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
SSM6N55NU,LF引脚图与封装图
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在线购买SSM6N55NU,LF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSM6N55NU,LF | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6Pin UDFN EP | 搜索库存 |