SQJB40EP-T1_GE3
VISHAY(威世)
电子元器件分类
SQJB40EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 34 W
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1415pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34000 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQJB40EP-T1_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQJB40EP-T1_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJB40EP-T1_GE3 | VISHAY 威世 | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8Pin PowerPAK SO EP | 搜索库存 |